SI4652DY-T1-GE3 datasheet
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>> SI4652DY-T1-GE3 MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4652DY-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V
SI4652DY-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
25 V
闸/源击穿电压
+/- 16 V
漏极连续电流
21.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
3.5 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI4652DY-T1-GE3
Si4654DY
SI4654DY-T1-E3
SI4654DY-T1-E3-S
SI4654DY-T1-GE3
SI4660DY-T1-E3
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳市荣泽信电子科技有限公司
18028731859
荣泽信-晏S
奥拉斯电气(济宁)有限公司
17753710178
冯
深圳市粤科源兴科技有限公司
13392885468
谢先生
集好芯城
0755-83286799
黄小姐 18188616605
SI4652DY-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,500
1.312
1968
2,500
0.966
2415
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